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消息称 SK 海力士完成中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂制程升级

作者:霞舞 | 点击: | 来源:霞舞
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1月19日消息,据韩国媒体ETNews于本月14日报道,SK海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂制程升级工作,核心制造工艺已由1znm(即第三代10纳米级)正式迈入1anm(第四代10纳米级)阶段。该无锡工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能。报道指出,在当前每月约18万至19万片12英寸晶圆的投片规模中,已有接近90%切换为1anm制程。不过,由于1anm工艺需依赖EUV光刻技术,而相关设备面临进口管制,因此无锡厂生产的1anm晶圆需运往韩国,在当地完成部分关键制程步骤...

1月19日消息,据韩国媒体etnews于本月14日报道,sk海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的dram内存晶圆厂制程升级工作,核心制造工艺已由1z nm(即第三代10纳米级)正式迈入1a nm(第四代10纳米级)阶段

该无锡工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能。报道指出,在当前每月约18万至19万片12英寸晶圆的投片规模中,已有接近90%切换为1a nm制程。不过,由于1a nm工艺需依赖EUV光刻技术,而相关设备面临进口管制,因此无锡厂生产的1a nm晶圆需运往韩国,在当地完成部分关键制程步骤。

▲ SK海力士无锡

生产基地
SK海力士官方就ETNews上述报道未予回应,拒绝发表评论。

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